Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2907ZSTRLPBF

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

172,03 kr

(exkl. moms)

215,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 155 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +34,406 kr172,03 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4446
Tillv. art.nr:
IRF2907ZSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

It is Lead-free

It is capable of being wave soldered

relaterade länkar