Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-4409
- Tillv. art.nr:
- IPP076N15N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
151,09 kr
(exkl. moms)
188,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 30,218 kr | 151,09 kr |
| 25 - 45 | 26,88 kr | 134,40 kr |
| 50 - 120 | 25,088 kr | 125,44 kr |
| 125 - 245 | 23,564 kr | 117,82 kr |
| 250 + | 21,75 kr | 108,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4409
- Tillv. art.nr:
- IPP076N15N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 112A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.93 mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 112A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.93 mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity