Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

737,30 kr

(exkl. moms)

921,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5014,746 kr737,30 kr
100 - 20014,009 kr700,45 kr
250 +13,27 kr663,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4408
Tillv. art.nr:
IPP076N15N5AKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

112A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

214W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.4mm

Bredd

15.93 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.2mm

Fordonsstandard

Nej

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity