Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

10 605,00 kr

(exkl. moms)

13 257,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,535 kr10 605,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4401
Tillv. art.nr:
IPN80R1K4P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

800V CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.8mm

Längd

6.7mm

Bredd

3.7 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 800V Cool MOS P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.

It has fully optimised portfolio

It has lower assembly cost