Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

199,45 kr

(exkl. moms)

249,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,989 kr199,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4394
Tillv. art.nr:
IPD70R900P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

30.5W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42 mm

Längd

6.65mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness