Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJB46ELP_RC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5053
Tillv. art.nr:
SQJB46ELP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SQJB46ELP_RC

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

15.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

34W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

6.25 mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay N channel MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

R-C values for the electrical circuit in the foster/tank and cauer/filter configurations are included