Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ150EP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 210-5045
- Tillv. art.nr:
- SQJ150EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
82,21 kr
(exkl. moms)
102,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,221 kr | 82,21 kr |
| 100 - 240 | 7,806 kr | 78,06 kr |
| 250 - 490 | 6,989 kr | 69,89 kr |
| 500 - 990 | 5,029 kr | 50,29 kr |
| 1000 + | 3,942 kr | 39,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-5045
- Tillv. art.nr:
- SQJ150EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 66A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQJ150EP | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.25 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 66A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQJ150EP | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.25 mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 66 A drain current.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics