Sök efter MPN

Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS-artikelnummer:: 210-4956
Tillv. art.nr:: SiDR626LDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

49 836,00 kr

(exkl. moms)

62 295,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	16,612 kr	49 836,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 210-4956
Tillv. art.nr:: SiDR626LDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	204A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SO-8
	Series	SiDR626LDP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.9mm
	Height	0.51mm
	Width	4.9 mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 204A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SO-8
	Series SiDR626LDP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.9mm
	Height 0.51mm
	Width 4.9 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiDR626LDP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar