DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT616

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

82,25 kr

(exkl. moms)

102,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 650 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +3,29 kr82,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-0157
Tillv. art.nr:
DMT616MLSS-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

DMT616

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.39W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.6nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.9mm

Höjd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.85 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The DiodesZetex 60V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 1.39 W thermal power dissipation.

Fast switching speed

Low input capacitance