DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

113,25 kr

(exkl. moms)

141,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 675 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +4,53 kr113,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-0091
Tillv. art.nr:
DMN6022SSS-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

DMN6022

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

34mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

4.85mm

Bredd

3.8 mm

Höjd

1.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The DiodesZetex 60V N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 1.3 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance