DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3402 AEC-Q101

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

144,60 kr

(exkl. moms)

180,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 650 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
50 +2,892 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-0069P
Tillv. art.nr:
DMG3402LQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

DMG3402

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

85mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.7nC

Framåtriktad spänning Vf

1.16V

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.3mm

Bredd

2.8 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The DiodesZetex 30V N-channel enhancement mode filed effect transistor is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 12 V with 1.4W thermal power dissipation.

Low input capacitance

Fast switching speed