Vishay SiDR392DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR392DP-T1-RE3

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

388,06 kr

(exkl. moms)

485,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +19,403 kr388,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7234
Tillv. art.nr:
SIDR392DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiDR392DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.62mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

188nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has a Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar