Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

506,92 kr

(exkl. moms)

633,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 2025,346 kr506,92 kr
40 - 8024,59 kr491,80 kr
100 - 18023,576 kr471,52 kr
200 - 48022,305 kr446,10 kr
500 +21,039 kr420,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7234
Tillv. art.nr:
SIDR392DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiDR392DP

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.62mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

188nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.15 mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has a Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Relaterade länkar