Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

39 537,00 kr

(exkl. moms)

49 422,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +13,179 kr39 537,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7233
Tillv. art.nr:
SIDR392DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiDR392DP

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.62mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

188nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.15mm

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has a Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET