Vishay SiJ128LDP Type N-Channel MOSFET, 25.5 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

21 762,00 kr

(exkl. moms)

27 204,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,254 kr21 762,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7216
Tillv. art.nr:
SiJ128LDP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiJ128LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.14 mm

Standards/Approvals

No

Height

6.25mm

Length

5.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar