STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-artikelnummer:
- 202-5554
- Tillv. art.nr:
- STWA70N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
3 326,40 kr
(exkl. moms)
4 158,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 110,88 kr | 3 326,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5554
- Tillv. art.nr:
- STWA70N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 450W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.1 mm | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie ST | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 450W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.1 mm | ||
Höjd 41.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
100% avalanche tested
Zener-protected