STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-263, ST
- RS-artikelnummer:
- 202-5496
- Tillv. art.nr:
- STB33N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
165,67 kr
(exkl. moms)
207,088 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 996 enhet(er) från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 82,835 kr | 165,67 kr |
| 50 - 98 | 59,145 kr | 118,29 kr |
| 100 - 248 | 56,825 kr | 113,65 kr |
| 250 - 498 | 55,58 kr | 111,16 kr |
| 500 + | 54,01 kr | 108,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5496
- Tillv. art.nr:
- STB33N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | ST | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.115Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Höjd | 15.85mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie ST | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.115Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Höjd 15.85mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected