Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 990,00 kr

(exkl. moms)

19 980,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,33 kr15 990,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6873
Tillv. art.nr:
SiZ250DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01887Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Width

3.3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching

characteristics

relaterade länkar