Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 23 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

345,41 kr

(exkl. moms)

431,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +69,082 kr345,41 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6810
Tillv. art.nr:
SIHH125N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Height

8.1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.05 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar