onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 195-2664
- Tillv. art.nr:
- NTMFSC0D9N04CL
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
152,32 kr
(exkl. moms)
190,40 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,232 kr | 152,32 kr |
| 100 - 240 | 13,126 kr | 131,26 kr |
| 250 + | 11,379 kr | 113,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 195-2664
- Tillv. art.nr:
- NTMFSC0D9N04CL
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 313A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 850μΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 143nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.9mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 313A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 850μΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 143nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.9mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductors advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Top and bottom sided exposed in standard 5x6mm pin-out
Improved thermal dissipation through top and bottom side of the package
Ultra low RDS-on
Reduced conduction loss
Reduced capacitances and package inductance
Reduced switching loss
Application
Synchronous Rectifier in AC-DC and DC-DC power supplies
Motor Switch
Load switch
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 313 A 40 V Förbättring DFN
- onsemi Typ N Kanal 313 A 40 V Förbättring DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 200 A 40 V Förbättring DFN
- onsemi Typ N Kanal 268 A 40 V Förbättring DFN, NVMFS5C420NWFT
- onsemi Typ N Kanal 277 A 40 V Förbättring DFN, NVMFS5C
- onsemi Typ N Kanal 268 A 40 V Förbättring DFN, NVMFS5C
- onsemi Typ N Kanal 533 A 40 V Förbättring DFN, NTMTS0D6N04C
- onsemi Typ N Kanal 554.5 A 40 V Förbättring DFN, NTMTS0D6N04CL
