onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, NCV8406 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 195-2461
Tillv. art.nr:: NCV8406BDTRKG
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, NCV8406 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

581,50 kr

(exkl. moms)

727,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Försörjningsbrist

2 500 kvar, redo att levereras

Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 - 450	11,63 kr	581,50 kr
500 +	10,025 kr	501,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 195-2461
Tillv. art.nr:: NCV8406BDTRKG
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	NCV8406
	Kapseltyp	TO-252
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	210mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal effektförlust Pd	1.81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	14 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22 mm
	Höjd	2.25mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie NCV8406
	Kapseltyp TO-252
	Fästetyp Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal effektförlust Pd 1.81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 14 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22 mm
	Höjd 2.25mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet NCV8406BDTRKG

NCV8406 is a three terminal protected Low-Side Smart Discrete device. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD and integrated Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

Short Circuit Protection

Thermal Shutdown with Automatic Restart

Over Voltage Protection

Integrated Clamp for Inductive Switching

ESD Protection

dV/dt Robustness

Analog Drive Capability (Logic Level Input)

These Devices are Faster than the Rest of the NCV Devices

NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free

Applications

Switch a Variety of Resistive, Inductive and Capacitive Loads

Can Replace Electromechanical Relays and Discrete Circuits

Automotive / Industrial

onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, NCV8406 AEC-Q101

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Relaterade länkar