STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 192-4882
- Tillv. art.nr:
- STL26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
123,54 kr
(exkl. moms)
154,425 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 265 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 24,708 kr | 123,54 kr |
| 25 - 45 | 24,058 kr | 120,29 kr |
| 50 - 120 | 23,408 kr | 117,04 kr |
| 125 - 245 | 22,826 kr | 114,13 kr |
| 250 + | 22,266 kr | 111,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4882
- Tillv. art.nr:
- STL26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 215mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Bredd | 8.1 mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 215mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.9mm | ||
Bredd 8.1 mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected