Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, C3M

Antal (1 enhet)*

158,23 kr

(exkl. moms)

197,79 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 23 mars 2026
  • Dessutom levereras 89 enhet(er) från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +158,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
192-3511
Tillv. art.nr:
C3M0075120J
Tillverkare / varumärke:
Wolfspeed
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Wolfspeed

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

C3M

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48nC

Maximal effektförlust Pd

113.6W

Framåtriktad spänning Vf

4.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

19 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.23mm

Bredd

9.12 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.57mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing. The newly released packages allow engineers to take full advantage of the high-frequency capability of the latest C3MTM planar MOSFET chips. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler two-level topologies made possible by the improved switching performance. This device features low on-resistance combined with a low gate charge, making it ideally suited for three-phase, bridgeless PFC topologies as well as AC-AC converters and chargers.

Minimum of 1200V Vbr across entire operating temperature range

New low-impedance package with driver source

> 7mm of creepage/clearance between drain and source

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive