Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, C3M

Antal (1 rör med 30 enheter)*

4 851,39 kr

(exkl. moms)

6 064,23 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +161,713 kr4 851,39 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
192-3375
Tillv. art.nr:
C3M0075120K
Tillverkare / varumärke:
Wolfspeed
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Wolfspeed

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

C3M

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

4.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

19 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

113.6W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.21 mm

Höjd

23.6mm

Längd

16.13mm

Fordonsstandard

Nej

Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing. The newly released packages allow engineers to take full advantage of the high-frequency capability of the latest C3MTM planar MOSFET chips. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler two-level topologies made possible by the improved switching performance. This device features low on-resistance combined with a low gate charge, making it ideally suited for three-phase, bridgeless PFC topologies as well as AC-AC converters and chargers.

Minimum of 1200V Vbr across entire operating temperature range

New low-impedance package with driver source

> 8mm of creepage/clearance between drain and source

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive