STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 188-8550
- Tillv. art.nr:
- STD11N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
74,19 kr
(exkl. moms)
92,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 175 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 14,838 kr | 74,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8550
- Tillv. art.nr:
- STD11N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 420mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.17mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Bredd | 6.2 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 420mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.17mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Bredd 6.2 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications