STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-8527
Tillv. art.nr:
STB80NF55-06T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

142nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

300W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Höjd

4.37mm

Bredd

9.35 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Exceptional dv/dt capability

Application oriented characterization

Applications

Switching application

Applications

Switching application