STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

67 058,00 kr

(exkl. moms)

83 822,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +67,058 kr67 058,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-8283
Tillv. art.nr:
STB43N65M5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

630mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

70W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.37mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.

Extremely low RDS(on)

Low gate charge and input capacitance

Excellent switching performance

Applications

Switching applications

Relaterade länkar