Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISHA10DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

212,125 kr

(exkl. moms)

265,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +8,485 kr212,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5146
Tillv. art.nr:
SISHA10DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSHA10DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Height

0.93mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

relaterade länkar