Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 195 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiRA99DP
- RS-artikelnummer:
- 188-5097
- Tillv. art.nr:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
147,39 kr
(exkl. moms)
184,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 560 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 29,478 kr | 147,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5097
- Tillv. art.nr:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SiRA99DP | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 172.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5 mm | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Längd | 5.99mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SiRA99DP | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 172.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5 mm | ||
Höjd 1.07mm | ||
Längd 5.99mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss
Eliminates the need for charge pump