Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,52 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,752 kr107,52 kr
100 - 24010,562 kr105,62 kr
250 - 4909,139 kr91,39 kr
500 - 9906,989 kr69,89 kr
1000 +5,701 kr57,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4960
Distrelec artikelnummer:
304-32-538
Tillv. art.nr:
SiSS92DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSS92DN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.4nC

Maximal effektförlust Pd

65.8W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.3 mm

Längd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.78mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® med ThunderFET-teknik optimerar balansen mellan RDS(on), Qg, Qsw och Qoss

Ledarskap RDS(on) och RDS-Coss FOM