Vishay SiSS92DN Type N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,52 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,752 kr107,52 kr
100 - 24010,562 kr105,62 kr
250 - 4909,139 kr91,39 kr
500 - 9906,989 kr69,89 kr
1000 +5,701 kr57,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4960
Tillv. art.nr:
SiSS92DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS92DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-32-538

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® with ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

Leadership RDS(on) and RDS-Coss FOM

relaterade länkar