Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

163,30 kr

(exkl. moms)

204,125 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 825 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2256,532 kr163,30 kr
250 - 6006,209 kr155,23 kr
625 - 12255,555 kr138,88 kr
1250 - 24753,983 kr99,58 kr
2500 +3,136 kr78,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4957
Tillv. art.nr:
SiSHA14DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

26.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Höjd

0.93mm

Bredd

3.3 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET