Vishay SiSHA14DN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA14DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

163,30 kr

(exkl. moms)

204,125 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 825 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2256,532 kr163,30 kr
250 - 6006,209 kr155,23 kr
625 - 12255,555 kr138,88 kr
1250 - 24753,983 kr99,58 kr
2500 +3,136 kr78,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4957
Tillv. art.nr:
SiSHA14DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA14DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

26.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.93mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

relaterade länkar