Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

18 024,00 kr

(exkl. moms)

22 530,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,008 kr18 024,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4908
Tillv. art.nr:
SiSS92DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Serie

SiSS92DN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

65.8W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.78mm

Bredd

3.3 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® med ThunderFET-teknik optimerar balansen mellan RDS(on), Qg, Qsw och Qoss

Ledarskap RDS(on) och RDS-Coss FOM