Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 374,00 kr

(exkl. moms)

16 716,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,458 kr13 374,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4905
Tillv. art.nr:
SiSS61DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS61DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

relaterade länkar