Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 793,00 kr

(exkl. moms)

14 742,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,931 kr11 793,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4897
Tillv. art.nr:
SISHA10DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA10DN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

39W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.3 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.93mm

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET