Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 144,65 kr

(exkl. moms)

1 430,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 3038,155 kr1 144,65 kr
60 - 12037,393 kr1 121,79 kr
150 +35,485 kr1 064,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4880
Tillv. art.nr:
SIHW21N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHW21N80AE

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.26mm

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Height

21.46mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar