Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 25 enheter)*

855,35 kr

(exkl. moms)

1 069,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 425 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
25 - 2534,214 kr855,35 kr
50 - 10032,162 kr804,05 kr
125 +29,08 kr727,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4877
Tillv. art.nr:
SIHG22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

SiHG22N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar