Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 16 A 500 V, TO-220AB
- RS-artikelnummer:
- 180-8623
- Tillv. art.nr:
- IRFB17N50LPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
139,78 kr
(exkl. moms)
174,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Sista 536 enhet(er) levereras från den 11 mars 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 69,89 kr | 139,78 kr |
| 20 - 48 | 62,775 kr | 125,55 kr |
| 50 - 98 | 57,40 kr | 114,80 kr |
| 100 - 198 | 52,36 kr | 104,72 kr |
| 200 + | 49,00 kr | 98,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8623
- Tillv. art.nr:
- IRFB17N50LPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Fästetyp | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.32Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 220W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Fästetyp Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.32Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximal effektförlust Pd 220W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay IRFB17N50L is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 500V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having TO-220AB package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.28ohms at 10VGS. Maximum drain current 16A.
Low gate charge Qg results in simple drive Requirement
Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Low trr and soft diode recovery
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 16 A 500 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 26 A 500 V TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal Enkel 5.2 A 200 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 50 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 15 A 50 V TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 6.2 A 600 V TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 21 A 600 V TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal 8.7 A 500 V Förbättring TO-220AB, D Series
