Sök efter MPN

Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V TO-263 IRF620SPBF

RS-artikelnummer:: 180-8301
Tillv. art.nr:: IRF620SPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V TO-263 IRF620SPBF

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

753,20 kr

(exkl. moms)

941,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 700 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per Rør*
50 - 200	15,064 kr	753,20 kr
250 - 450	14,161 kr	708,05 kr
500 - 1200	12,804 kr	640,20 kr
1250 - 2450	12,051 kr	602,55 kr
2500 +	11,299 kr	564,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-8301
Tillv. art.nr:: IRF620SPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.8Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay IRF620S is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 200V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.8ohms at 10VGS. Maximum drain current 5.2A.

Surface mount

Available in tape and reel

Dynamic dv/dt rating

Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V TO-263 IRF620SPBF

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar