Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-8062
Tillv. art.nr:: SI4425DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

58,74 kr

(exkl. moms)

73,42 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 760 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	2,937 kr	58,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-8062
Tillv. art.nr:: SI4425DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	19.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	SO-8
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	16.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Maximal effektförlust Pd	3.6W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.2 mm
	Höjd	1.75mm
	Längd	5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp SO-8
	Fästetyp Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 16.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Maximal effektförlust Pd 3.6W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.2 mm
	Höjd 1.75mm
	Längd 5mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 9.8mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5.7W and continuous drain current of 19.7A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Desktop PCs

• Load switches

• Notebook PCs

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested