Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7289
Tillv. art.nr:: SI4447ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

6 507,50 kr

(exkl. moms)

8 135,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 23 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	2,603 kr	6 507,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7289
Tillv. art.nr:: SI4447ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	62mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal effektförlust Pd	2.7W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11.8nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.2 mm
	Längd	5mm
	Höjd	1.75mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SO-8
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 62mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal effektförlust Pd 2.7W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.8nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.2 mm
	Längd 5mm
	Höjd 1.75mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 45mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 4.2W and continuous drain current of 7.2A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• Load switches

• Notebook PCs

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested