Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 178-3920P
- Tillv. art.nr:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
920,60 kr
(exkl. moms)
1 150,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 14 910 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 9,206 kr |
| 500 - 990 | 8,086 kr |
| 1000 + | 7,045 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3920P
- Tillv. art.nr:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.15 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Längd | 3.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.15 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.07mm | ||
Längd 3.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss