Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6661

RS-artikelnummer:: 177-9750P
Tillv. art.nr:: 2N6661
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6661

Antal 1 enhet (levereras i en påse)*

156,13 kr

(exkl. moms)

195,16 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 256 enhet(er) från den 23 februari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 +	156,13 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-9750P
Tillv. art.nr:: 2N6661
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Microchip
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	350mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	90V
	Serie	2N6661
	Kapseltyp	TO-39
	Fästetyp	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	5Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	6.25W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	9.398 mm
	Höjd	6.6mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Microchip
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 90V
	Serie 2N6661
	Kapseltyp TO-39
	Fästetyp Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 5Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 6.25W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 9.398 mm
	Höjd 6.6mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

Microchip Technology MOSFET

The Microchip Technology through-hole mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 90V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 4ohms at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 350mA and maximum power dissipation of 6.25W. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 5V and 10V respectively. The MOSFET is an enhancement mode (normally off) MOSFET that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. A significant characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. This vertical DMOS FET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Ease of paralleling

• Excellent thermal stability

• Free from secondary breakdown

• High input impedance and high gain

• Integral source drain diode

• Low CISS and fast switching speeds

• Low power drive requirement

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

Applications

• Amplifiers

• Converters

• Drivers: relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.

• Motor controls

• Power supply circuits

• Switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007