ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 172,50 kr

(exkl. moms)

16 465,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 5 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,269 kr13 172,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
172-0384
Tillv. art.nr:
RD3G500GNTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

RD3G500GN

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.3mm

Width

6.4 mm

Length

6.8mm

Standards/Approvals

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Automotive Standard

No

RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.

Low on - resistance

High power package (TO-252)

Pb-free lead plating

Halogen free

relaterade länkar