Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

53,41 kr

(exkl. moms)

66,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 790 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +5,341 kr53,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2385
Tillv. art.nr:
TPN14006NH,L1Q(M
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Height

0.85mm

Width

3.1 mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

DC-DC Converters

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 5.5 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

relaterade länkar