Sök efter MPN

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 92 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON

RS-artikelnummer:: 171-2210
Tillv. art.nr:: TPN3R704PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 92 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

37 565,00 kr

(exkl. moms)

46 955,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 25 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 - 5000	7,513 kr	37 565,00 kr
10000 +	7,302 kr	36 510,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-2210
Tillv. art.nr:: TPN3R704PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	92A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Maximum Power Dissipation Pd	86W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	3.1 mm
	Height	0.85mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 92A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Maximum Power Dissipation Pd 86W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 3.1 mm
	Height 0.85mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

RoHS-status: Undantagen

High-Efficiency DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 8.1 nC (typ.)

Small output charge: Qoss = 20.2 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: V = 1.4 to 2.4 V (V = 10 V, I = 0.2 mA)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 92 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar