Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 5 Ben, TO-252, IPD068N10N3 G
- RS-artikelnummer:
- 171-1939
- Tillv. art.nr:
- IPD068N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
84,17 kr
(exkl. moms)
105,21 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 17 840 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,417 kr | 84,17 kr |
| 100 - 240 | 6,793 kr | 67,93 kr |
| 250 - 490 | 6,447 kr | 64,47 kr |
| 500 - 990 | 5,926 kr | 59,26 kr |
| 1000 + | 4,89 kr | 48,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1939
- Tillv. art.nr:
- IPD068N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IPD068N10N3 G | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 7.47 mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IPD068N10N3 G | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 7.47 mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon MOSFET
The Infineon PG-TO-252-3 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 6.8mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 90A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. It has a maximum power dissipation of 71W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Easy to design products
• Environmentally friendly
• Excellent gate charge x RDS (on) product (FOM)
• Excellent switching performance
• Halogen free
• Highest power density
• Increased efficiency
• Lead (Pb) free plating
• Less paralleling required
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Smallest board space consumption
• Very low Qg and Qgd
• World's lowest RDS (on)
Applications
• Class D audio amplifiers
• Isolated DC-DC converters (telecom and data communication systems
• Motor control for 48V-80V systems (domestic vehicles, power tools, trucks)
• O-ring switches and circuit breakers in 48V systems
• Synchronous rectifier
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC