Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.7 A 55 V Avskrivningar, 8 Ben, SO-8, IRF7343PbF
- RS-artikelnummer:
- 171-1915
- Tillv. art.nr:
- IRF7343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
29,19 kr
(exkl. moms)
36,49 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 510 enhet(er) levereras från den 26 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 2,919 kr | 29,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1915
- Tillv. art.nr:
- IRF7343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | IRF7343PbF | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 170mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.96V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 4 mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie IRF7343PbF | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 170mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.96V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 4 mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Uppfyller ej RoHS
The Infineon IRF7343 is the 55V dual N- and P- channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package.
RoHS Compliant
Low RDS(on)
Dynamic dv/dt rating
Fast switching