Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si4435DYPbF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

13 400,00 kr

(exkl. moms)

16 760,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +3,35 kr13 400,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2264
Tillv. art.nr:
SI4435DYTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

Si4435DYPbF

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

35mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4 mm

Höjd

1.5mm

Fordonsstandard

Nej

Uppfyller ej RoHS

The Infineon SI4435DY is the 30V single P-channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package. These P-channel HEXFET power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area.

P-channel MOSFET

Surface mount

Available in tape and reel

Lead free

Relaterade länkar