STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

52 571,00 kr

(exkl. moms)

65 714,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +52,571 kr52 571,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7612
Tillv. art.nr:
STB45N65M5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

710V

Kapseltyp

TO-263

Serie

MDmesh M5

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

78mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

210W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

82nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics


Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar