STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 168-7516
- Tillv. art.nr:
- STP60NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
421,35 kr
(exkl. moms)
526,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 8,427 kr | 421,35 kr |
| 100 - 450 | 6,548 kr | 327,40 kr |
| 500 - 950 | 5,578 kr | 278,90 kr |
| 1000 - 4950 | 4,668 kr | 233,40 kr |
| 5000 + | 4,372 kr | 218,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7516
- Tillv. art.nr:
- STP60NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 104nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 104nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.