Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET

Antal (1 rulle med 250 enheter)*

4 610,75 kr

(exkl. moms)

5 763,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
250 +18,443 kr4 610,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4940
Tillv. art.nr:
CSD19502Q5BT
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

157A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

VSON

Serie

NexFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

195W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

130nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.05mm

Bredd

5.1 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments